【48812】集成电路布图规划专有权公告(2022年12月2日)

日期: 2024-07-05   作者: 技术支持  1

  布图规划称号:根据平面笔直双扩散结构的P沟道40V/10.5A/15mΩ MOSFET地图

  布图规划称号:根据平面笔直双扩散结构的P沟道150V/11A/0.15Ω MOSFET地图

  布图规划称号:根据抗辐照平面笔直双扩散结构的N沟道增强型200V/27.4A/0.1Ω MOSFET地图

  布图规划称号:根据抗辐照平面笔直双扩散结构的N沟道增强型30V/75A/3.5mΩ MOSFET地图

  布图规划称号:根据平面笔直双扩散结构的P沟道60V/3.5A/0.13Ω MOSFET地图

  布图规划创作人:张勇、赵海亮、阮颐、李军、史文栋、张继祥、李刚、刘枫、章世轶

  布图规划创作人:赵犇、陆云、王鑫、夏雷、曹志、韩豪杰、龚庆、沈韶清、秦毅

  布图规划创作人:钟圣荣、葛景涛、钟子期、周东飞、柯俊吉、葛涛、李艺璇、冒晶晶、吴小玲

  布图规划创作人:龙腾半导体股份有限公司、西安龙翔半导体有限公司、旭矽半导体(上海)有限公司

  布图规划创作人:龙腾半导体股份有限公司、西安龙翔半导体有限公司、旭矽半导体(上海)有限公司

  布图规划称号:支撑SVAC2.0/H.265双模编解码的人工智能视频监控SOC布图规划

  布图规划称号:应用于带OVP功用单节锂离子电池1A线性充电芯片的宽作业电压规模比较器电路


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